三极管寄生电容

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...一种显示面板专利,减小扇出走线与显示区的各信号之间产生的寄生电容阵列基板上的多条扇出走线;阵列基板包括位于显示区的多条信号线;多条扇出走线位于显示区且与多条信号线中的至少部分一一对应电连接;扇出走线在垂直于阵列基板的方向上与多条信号线中的部分信号线重叠设置。本申请可以减小扇出走线与显示区的各信号之间产生的寄生电容。

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台舟电子取得二极管单基岛八脚封装结构专利,能有效减小寄生电容在单基岛上封装一颗多路集成ESD静电保护晶圆,单基岛封装方式引线更合理简单,能有效减小寄生电容,高频衰减小,改善了多路TVS和ESD静电保护二极管封装技术问题,提高生产良品率和效率,减少因为封装所造成的寄生参数影响元件高频性能,本实用新型无需多基岛,封装选择通用,晶圆说完了。

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...取得晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法专利,降低了寄生电容,还...凸起部的外侧壁与介质层之间形成侧沟;填孔绝缘层,覆盖字线实体层的顶端及侧沟的顶端,将侧沟封闭形成空气腔。通过上述方案,本发明通过沉积及湿法刻蚀工艺制备晶体管结构,形成具有绝缘侧沟的晶体管,改变了电容的中间介质层,从而降低了寄生电容,还可以减小晶体管的电阻。本文小发猫。

帝奥微取得降低高速开关通道金属寄生电容金属结构专利,可以低成本...金融界2024年2月29日消息,据国家知识产权局公告,江苏帝奥微电子股份有限公司取得一项名为“一种降低高速开关通道金属寄生电容金属结构“授权公告号CN220543910U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种降低高速开关通道金属寄生电容金属结构,其中结是什么。

杭州行芯取得寄生电容的计算相关专利,提高寄生电容的计算速度金融界2024 年9 月8 日消息,天眼查知识产权信息显示,杭州行芯科技有限公司取得一项名为“一种寄生电容的计算方法、装置及电子设备“授权公告号CN117524908B,申请日期为2023 年10 月。专利摘要显示,本申请提供了一种寄生电容的计算方法、装置及电子设备;所述方法包括小发猫。

华映科技申请一种改善寄生电容影响的氧化物阵列结构及其制备方法...金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种改善寄生电容影响的氧化物阵列结构及其制备方法“公开号CN202410114336.4,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种改善寄生电容影响的氧化物阵列结构及其制备后面会介绍。

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华映科技申请一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法专利...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114343.4,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法后面会介绍。

华映科技申请可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板专利,膜层结构少...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114469.1,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其说完了。

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华映科技申请一种减少寄生电容效应的氧化物阵列结构及其制备方法...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种减少寄生电容效应的氧化物阵列结构及其制备方法”的专利,公开号CN202410114468.7,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种减少寄生电容效应的氧化物阵列结构及说完了。

华映科技申请一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114416.X,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其小发猫。

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