产品研发中心平面图_产品研发中心的职能与作用-宣传片优选天源文化提供全流程服务- 助力企业品牌增长

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我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术组织核心研发团队和全线配合团队，历时4 年，不断尝试新工艺，最终建立全新工艺流程，突破“挖坑”难、稳、准等难点，成功制造出沟槽型碳化硅MOSFET 芯片。较平面型提升导通性能30% 左右，目前中心正在进行沟槽型碳化硅MOSFET 芯片产品开发，推出沟槽型的碳化硅功率器件，预计后面会介绍。

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