如何制造二极管_如何制造烟雾-宣传片优选天源文化提供全流程服务- 助力企业品牌增长

沃格光电申请微型发光二极管背光制造方法专利,避免油墨颗粒影响...金融界2024年4月10日消息，据国家知识产权局公告，江西沃格光电股份有限公司申请一项名为“一种微型发光二极管背光的制造方法、一种半导体设备“公开号CN117855351A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本申请提供一种微型发光二极管背光的制造方法、一种半导体设备，方等我继续说。

光迅科技申请光电二极管及其制造方法专利金融界2023年12月26日消息，据国家知识产权局公告，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法“公开号CN117293214A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明实施例提供光电二极管及其制造方法，所述光电二极管包括：衬底；N型电极接触层，位于所述衬等我继续说。

?▽?

三星获得LED设备制造方法专利,提升发光二极管装置的制造工艺金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“发光二极管装置及其制造方法”，授权公告号CN110754000B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，提供了一种用于制造发光二极管(LED)装置的方法。所述方法包括：在玻璃层上形成多个滤色器；在所还有呢？

苏州固锝取得一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺专利,电极...金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺“授权公告号CN110061066B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺，步骤包括：在硅片衬底表面形说完了。

...获得发明专利授权:“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺”证券之星消息，根据企查查数据显示苏州固锝(002079)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺”，专利申请号为CN201910358286.3,授权日为2024年2月9日。专利摘要：一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺，步骤包括：在硅片衬底表面形是什么。

晶合集成申请图像传感器专利,可制造具有不同光电二极管的图像传感...且位于第一层叠结构的不同区域的隔离结构从第一层叠结构表面开始向下贯穿不同数量的半导体材料层，以使得第一层叠结构的不同区域内形成不同的光电二极管区域。本申请能够制造具有不同光电二极管的图像传感器，并且无需采用高能量离子注入方式形成光电二极管区域，因而避免了还有呢？

晶合集成申请图像传感器专利,能够制造具有不同光电二极管的图像...制造方法包括：提供一衬底，衬底包括设置在其顶部的刻蚀停止层；在刻蚀停止层的表面上形成第一层叠结构，第一层叠结构的不同区域中层叠设置不同数量的半导体材料层；刻蚀第一层叠结构至刻蚀停止层，以形成隔离结构且使得第一层叠结构中形成由隔离结构隔离出来的光电二极管区域。..

≥▽≤

苏州固锝取得一种四颗二极管集成芯片的制造工艺专利,该专利技术能...金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种四颗二极管集成芯片的制造工艺“授权公告号CN110060934B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，一种四颗二极管集成芯片的制造工艺；步骤包括：在硅片衬底上、下表面均形成第一二后面会介绍。

●▂●

苏州固锝取得一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺专利,该专利...金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺“授权公告号CN110112130B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺；步骤为：在硅片衬底上、下表面均形成等我继续说。

上海贝岭申请内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法专利,降低了...金融界2024年4月6日消息，据国家知识产权局公告，上海贝岭股份有限公司申请一项名为“内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法“公开号CN117832276A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本公开提供了一种内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括金属化等我继续说。

原创文章，作者：宣传片优选天源文化提供全流程服务- 助力企业品牌增长，如若转载，请注明出处：https://d2film.com/bqi31hsa.html

如何制造二极管_如何制造烟雾

相关推荐

发表评论