什么叫二极管的正向压降
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华微电子申请肖特基二极管制作方法专利,降低正向压降金融界2024 年7 月16 日消息,天眼查知识产权信息显示,吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“肖特基二极管及其制作方法”,公开号CN等会说。 外延层一侧。如此,通过设置交错排列的多个凹槽,可以使沟槽区域的面积相对减小,增加单位势垒区域的面积,降低正向压降。本文源自金融界
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...碳化硅二极管器件及其制备方法专利,进一步降低了器件的正向导通压降金融界2023年12月30日消息,据国家知识产权局公告,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其等我继续说。 型主和若干P型分压环的场氧层;本发明在不增加单颗芯片面积和工艺复杂程度的基础上,进一步降低了器件的正向导通压降。本文源自金融界
格力电器取得CN113193744B专利,提升了分立PFC电路中每个功率...该装置包括:温度采样用二极管单元,被配置为根据所述分立PFC电路中功率器件的温度变化情况,输出所述温度采样用二极管单元自身的正向压降的当前值,记为所述温度采样用二极管单元的当前正向压降值;控制单元,被配置为根据所述温度采样用二极管单元的当前正向压降值,确定所述功说完了。
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