如何自己制作一个等离子球

北京大学申请环形栅等离子体晶体管专利,具有较强的栅控能力金融界2024年1月16日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种环形栅等离子体晶体管及其制作方法”,公开号CN11741016小发猫。 从而在源电极层与漏电极层之间形成一个封闭腔室,且源电极层的源电极、栅电极层的栅电极和漏电极层的漏电极暴露于封闭腔室内;环形栅等小发猫。

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沪电股份申请等离子除胶监控速率片专利,有效提高PCB产品的除胶...金融界2024年4月5日消息,据国家知识产权局公告,沪士电子股份有限公司申请一项名为“一种等离子除胶监控速率片、制作及使用方法“公开号CN117835555A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明公开了一种等离子除胶监控速率片、制作及使用方法,属于PCB板技术领域。..

中芯集成-U申请沟槽型MOSFET及其制作方法专利,提高离子注入机台...金融界2023年12月23日消息,据国家知识产权局公告,绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“沟槽型MOSFET及其制作方法“公开是什么。 由于掺杂屏蔽层不需要通过高能离子注入工艺形成,可以提高离子注入机台的产能,且可以降低器件的工艺难度。本发明还提供一种沟槽型MOS是什么。

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