如何制造静电_如何制造氢气最简单
...架构的 ESD 保护器件,提升半导体集成电路制造领域的静电防护能力金融界2024 年9 月3 日消息，天眼查知识产权信息显示，华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“SCR 架构的ESD 保护器件“公开号CN202410693373.5,申请日期为2024 年5 月。专利摘要显示，本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SCR 架构的ESD 保护器件。..
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...其制造方法专利,大大减少外界对电路的静电干扰,增加电缆的屏蔽性能金融界2024年8月28日消息，天眼查知识产权信息显示，安徽华宇电缆集团有限公司取得一项名为“一种数据中心专用信号传输电缆及其制造方法是什么。 第一屏蔽层和第二屏蔽层通过铝塑带和铜丝编织制成，复合屏蔽层采用铝塑带和铜丝编织复合屏蔽，大大减少了外界对电路的静电干扰，增加电缆是什么。
华卓精科取得陶瓷静电卡盘装置及其制造工艺专利,降低电极层翘曲...金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，北京华卓精科科技股份有限公司取得一项名为“陶瓷静电卡盘装置及其制造工艺“授权公告号CN107527852B,申请日期为2016年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种陶瓷静电卡盘装置及其制造工艺，属于半导体晶片加工技术领域，所等会说。
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台积电申请静电场强度测量装置和方法以及半导体处理方法专利,能够...金融界2024年1月26日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“静电场强度测量装置和方法以及半导体处理方法“公开号CN117452082A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本申请的实施例提供了一种静电场强度测量装置和方法以及半导体处理说完了。
三星取得静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法专利...金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法“授权公告号CN110690096B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，提供了静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述等会说。
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朗科智能取得静电防护电路专利,制造成本较低且具有良好的静电防护...至少两个防静电模块依次串联连接形成静电防护多级组合结构，该静电防护多级组合结构包括前端的防静电模块和末端的防静电模块，前端的防静电模块分别与输入信号接口端和输出信号接口端连接，零线端与末端的防静电模块连接。本实用新型制造成本较低，通过零线将高压静电泄放，具还有呢？
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清华大学申请电致动器件、制造方法及控制器件专利,解决了静电驱动...金融界2023年12月6日消息，据国家知识产权局公告，清华大学申请一项名为“电致动器件、制造方法及控制器件“公开号CN117163913A,申请说完了。 有利于获得较大的静电驱动力；且随着可动结构层的偏转，两极板的平均间距不断减小，进一步提高了驱动力。因此，本发明解决了静电驱动的可动说完了。
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...及其制造方法”专利,防止导电端子产生静电而影响学驱动组件的性能虚端子包括用于连接料带的第二料带连接部；绝缘块包覆部分所述导电端子和部分所述虚端子，并使所述导电端子和所述虚端子绝缘间隔分布；绝缘底座包覆所述第一料带连接部，以使所述第一料带连接部与外界分隔。本发明的光学驱动组件及其制造方法用于防止导电端子产生静电而影响好了吧！
中控技术全资子公司中控富阳公司顺利通过ESD静电防护管理体系S...近日，中控技术全资子公司中控技术(富阳)有限公司(以下简称：中控富阳公司)顺利通过ANSI/ESD S20.20:2021静电防护管理体系认证，标志着中控富阳公司所建立的生产制造静电防护体系获得国际权威机构认可。ESD20.20标准的全称是ANSI/ESDS20.20,ESD20.20标准是在ISO9001的基说完了。
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阿特斯取得静电吹扫结构、吸盘组件及电池片上料装置专利,实现对...盐城阿特斯阳光能源科技有限公司取得一项名为“静电吹扫结构、吸盘组件及电池片上料装置”，授权公告号CN221149975U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种静电吹扫结构、吸盘组件及电池片上料装置，其属于光伏制造技术领域，静电吹扫结构包括安装件、..
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