什么是绝缘体什么是导体
杭州积海半导体申请金属-绝缘体-金属电容及其形成方法专利,避免引入...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,杭州积海半导体有限公司申请一项名为“金属-绝缘体-金属电容及其形成方法”的专利,公开号CN 118943128 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明提供一种金属‑绝缘体‑金属电容及其形成方法,属于半导体器件制造技是什么。
武汉新芯取得绝缘体上半导体衬底及其制造方法专利金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“绝缘体上半导体衬底及其制造方法”的专利,授权公告号CN 115188704 B,申请日期为2022年7月。
卓胜微申请优化绝缘体上半导体结构键合效果的方法及结构专利,提高...金融界2024年6月21日消息,天眼查知识产权信息显示,江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“优化绝缘体上半导体结构键合效果的方法及结构“公开号CN202410274364.2,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本申请公开了一种优化绝缘体上半导体结构键合效果的方法及结构小发猫。
台积电取得绝缘体上半导体衬底、其形成方法以及集成电路专利,实现...金融界2024年4月13日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“绝缘体上半导体衬底、其形成方法以及集成电路“授权公告号CN110957257B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示,本申请的各种实施例涉及一种用于形成不具有接合界面空隙和/或在等我继续说。
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成都速易联芯取得一种连接器线端导体组件和线端结构专利,能够解决...成都速易联芯科技有限公司取得一项名为“一种连接器线端导体组件和线端结构”的专利,授权公告号CN 221978240 U,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种连接器线端导体组件和线端结构,连接器线端导体组件包括中心导体、外导体、绝缘体、内导体、压接环还有呢?
电连技术申请FAKRA直角连接器专利,实现将内导体完全限位在绝缘体...金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,电连技术股份有限公司申请一项名为“一种FAKRA直角连接器“公开号CN202211554261.9,申请日期为2022年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种FAKRA直角连接器,包括:壳体、外导体、内导体、绝缘体、屏蔽盖,所述壳体上具是什么。
环球晶圆申请将硅薄层移转专利,提高移转效率金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,环球晶圆股份有限公司申请一项名为“将硅薄层移转的方法”的专利,公开号CN 118943075 A,申请日期为2019年5月。专利摘要显示,本申请涉及一种将硅薄层移转的方法。一种用于制备绝缘体上半导体结构的方法包括将硅薄层从等我继续说。
...专利技术能实现半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二...金融界2024年3月18日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“紫外半导体发光器件“授权公告号CN110010734B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示,紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导后面会介绍。
苏州冠韵威申请一种半导体设备用电气连接组件专利,实现半导体设备...金融界2024年11月12日消息,国家知识产权局信息显示,苏州冠韵威电子技术有限公司申请一项名为“一种半导体设备用电气连接组件”的专利,公开号CN 118920159 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明公开了一种半导体设备用电气连接组件,包括壳体、第一绝缘体、第二绝后面会介绍。
苏州艾镁特取得具有高抗压性能的肖特基二极管专利,提高其反向抗击...包括半导体本体,所述半导体本体的底部一体定位有半导体衬底,所述半导体衬底上定位有阳极金属体与绝缘体,所述半导体本体的内部靠近顶端位置定位有导电类型JTE区,所述导电类型JTE区的内部设置有斜沟槽、第一导电材料与第二导电材料,所述半导体本体中一体定位有加强支撑框,好了吧!
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