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北京五所高校确定雄安新校区选址日前，北京青年报记者从雄安新区获悉，北京理工大学、北京语言大学、中国传媒大学、华北电力大学、北京航空航天大学等5所高校的雄安校区选址已完成，均在雄安新区起步区第一组团。北京理工大学雄安校区总用地面积44.71 公顷。北京语言大学雄安校区总用地面积47.31公顷。中国等我继续说。

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北京大学申请扩大毫米波雷达感知面积的方法、系统、介质及计算设备...金融界2024年3月23日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“扩大毫米波雷达感知面积的方法、系统、介质及计算设备“公开号CN117741588A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明涉及一种扩大毫米波雷达感知面积的方法、系统、介质及计算设备，其包括：将好了吧！

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北京大学申请铁电存储器专利,解决了铁电存储器额外面积消耗问题金融界2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种铁电存储器及其制备方法“公开号CN117337048A,申请日期后面会介绍。上电极贯穿所有奇数应变层但不接触偶数应变层。在原CMOS平台制备该铁电存储器，解决了铁电存储器额外面积消耗问题。本文源自金融界

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北京大学申请半导体存储单元及其阵列结构专利,专利技术能有效降低...金融界2024年2月28日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种半导体存储单元及其阵列结构“公开号CN117615581A,申请好了吧！同一行上相邻存储单元的相邻NMOS管的源极相连至该行源线SL,同一列存储单元共用两条字线。本发明可以有效降低存储单元面积，提高存储好了吧！

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北京大学取得二维半导体垂直场效应晶体管阵列专利,可实现纳米尺度...金融界2023年12月6日消息，据国家知识产权局公告，北京大学取得一项名为“一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法”，授权公告还有呢？即能够制备出沟道长度在纳米尺度的大面积场效应晶体管阵列；本发明通过源电极和漏电极的侧壁与二维半导体材料薄膜接触，能够降低器件制还有呢？

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北京大学申请一种基于CMOS工艺流程的嵌入式铁电存储器的集成方法...金融界2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种基于CMOS工艺流程的嵌入式铁电存储器的集成方法“公开号还有呢？不增加铁电存储器单元面积的前提下，利用CMOS逻辑工艺平台已有技术，在片上嵌入式集成大面积的铁电存储器，该大面积铁电存储器的版图面还有呢？

北京大学申请基于电介质掺杂的二维垂直堆叠互补型场效应晶体管专利...金融界2024年3月23日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“基于电介质掺杂的二维垂直堆叠互补型场效应晶体管“公开号CN等会说。分别对沟道实现p型和n型掺杂，使具有双极性的二维材料晶体管分别展示出p型或者n型输运行为，从而在紧凑的版图面积占用下，实现CMOS电路等会说。

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北京大学申请新型三维存储器阵列及制备方法专利,利用该专利技术...金融界2024年5月9日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“新型三维存储器阵列及制备方法“公开号CN117998867A,申请日小发猫。源线SL及栅线GL共同控制存储单元的状态。利用上述发明能够降低1S1R对于选通管非线性的要求，减低面积开销，提高阵列的密度及存储规模小发猫。

北京大学取得分布式逐次逼近型模数转换器及其运算方法专利,降低了...金融界2024年2月29日消息，据国家知识产权局公告，北京大学取得一项名为“一种分布式逐次逼近型模数转换器及其运算方法“授权公告号CN说完了。所需功耗与面积都远小于SAR‑ADC与Flash‑ADC。假如输出数据存在稀疏性时，本发明能利用输出数据的稀疏性特点进一步降低功耗与提高说完了。

ゃōゃ

北京师范大学淮南实验学校南区将于今年9月投用该校是深化安徽省人民政府与北京师范大学省校合作、落实服务区域创新发展的重要举措，将进一步提升安徽淮南整体的办学水平。南校区。卢勇龙/摄北京师范大学淮南实验学校位于淮南山南新区，占地总面积约300亩，总建筑面积约15.8万平方米。其中，南区主要包括高中生活楼、高中教后面会介绍。

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