什么是寄生电容_什么是寄生电容效应
武汉楚兴申请图像传感器及其制造方法专利,降低寄生电容,提高器件性能接触结构连接浮动扩散区，接触结构贯穿器件层，且向第一衬底内部延伸，嵌入第一衬底内部的一端环绕部分浅沟槽隔离结构的顶部，这样同一个接触结构可以通过端部连接不同浮动扩散区，使多个光吸收区的浮动扩散区可以共用接触结构，减少了接触结构的数量，降低寄生电容，提高器件性能还有呢？
...半导体芯片和半导体系统专利,能够减少数据信号传输路径的寄生电容在包括多个存储器芯片的半导体系统中，连接到与控制器连接的外部互连结构并且数据信号通过其传输的焊盘与连接到连接在多个存储器芯片之间的内部互连结构的焊盘被区分开地设置。因此，可以提供一种能够减少用于传输数据信号的路径的寄生电容以防止或减少数据的传输延迟并高好了吧！
...与其制造方法专利,降低因为对准误差而在半导体装置上产生的寄生电容移除硬遮罩层的第二部分，使用牺牲介电层为离子植入遮罩，以在磊晶层中形成结型场效应晶体管区，在结型场效应晶体管区上形成介电层，移除牺牲介电层，在介电层的一侧形成栅极结构。可降低因为对准误差而在半导体装置上产生的寄生电容，且可确保掺杂区及通道区尺寸在所设计范围内说完了。
＋＾＋
紫光同芯取得电荷泵电路专利,可减少电荷泵关键结点寄生电容使每级单元电路的输出端获得高电位且为连接的PMOS管供电，使交叉耦合结点获得高电位，以启动电荷泵电路；其中，交叉耦合结点是电容和NMOS管、PMOS管连接的结点。该电路在保证MOS电容有比较稳定的电容特性，实现电荷泵的快速启动的同时，可减少电荷泵关键结点寄生电容。
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...一种显示面板专利,减小扇出走线与显示区的各信号之间产生的寄生电容阵列基板上的多条扇出走线；阵列基板包括位于显示区的多条信号线；多条扇出走线位于显示区且与多条信号线中的至少部分一一对应电连接；扇出走线在垂直于阵列基板的方向上与多条信号线中的部分信号线重叠设置。本申请可以减小扇出走线与显示区的各信号之间产生的寄生电容。
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杭州行芯取得寄生电容的计算相关专利,提高寄生电容的计算速度金融界2024 年9 月8 日消息，天眼查知识产权信息显示，杭州行芯科技有限公司取得一项名为“一种寄生电容的计算方法、装置及电子设备“授权公告号CN117524908B,申请日期为2023 年10 月。专利摘要显示，本申请提供了一种寄生电容的计算方法、装置及电子设备；所述方法包括说完了。
华映科技申请一种改善寄生电容影响的氧化物阵列结构及其制备方法...金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种改善寄生电容影响的氧化物阵列结构及其制备方法“公开号CN202410114336.4,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本发明提供一种改善寄生电容影响的氧化物阵列结构及其制备好了吧！
华映科技申请一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法...金融界2024年6月4日消息，天眼查知识产权信息显示，华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114416.X,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本发明提供一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其小发猫。
华映科技申请一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法专利...金融界2024年6月4日消息，天眼查知识产权信息显示，华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114343.4,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本发明提供一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法等我继续说。
∪﹏∪
华映科技申请可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板专利,膜层结构少...金融界2024年6月4日消息，天眼查知识产权信息显示，华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114469.1,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本发明提供一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其小发猫。
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