什么是寄生电容效应_什么是寄生电容

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华映科技申请一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法专利...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114343.4,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法等我继续说。

华映科技申请可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板专利,膜层结构少...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114469.1,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其小发猫。

华映科技申请一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114416.X,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其小发猫。

华映科技申请一种减少寄生电容效应的氧化物阵列结构及其制备方法...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种减少寄生电容效应的氧化物阵列结构及其制备方法”的专利,公开号CN202410114468.7,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种减少寄生电容效应的氧化物阵列结构及小发猫。

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长鑫存储申请半导体结构及其形成方法专利,减少寄生电容效应并提高...以及所述第一接触结构和所述第二接触结构上方形成牺牲层;在所述牺牲层上方形成绝缘覆盖层;去除所述牺牲层,在所述第一沟槽内形成第一气隙结构。本公开减少了位于栅极结构两侧的第一接触结构与第二接触结构之间的寄生电容效应,且提高了第一气隙结构形成的可控性。本文源自等我继续说。

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