什么是金属氧化物_什么是金属氧化物半导体-宣传片优选天源文化提供全流程服务- 助力企业品牌增长

东莞令特电子申请包括切断装置的金属氧化物压敏电阻器专利,能够...金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，东莞令特电子有限公司申请一项名为“包括切断装置的金属氧化物压敏电阻器”的专利，公开号CN 118942822 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示，公开了包括切断装置的金属氧化物压敏电阻器，本文中的TPV可以包括压敏电阻等会说。

泰州易威德取得一种金属氧化物空气断路器专利金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，泰州易威德电气有限公司取得一项名为“一种金属氧化物空气断路器”的专利，授权公告号CN 118173422 B,申请日期为2024年5月。

深圳市津工能源取得一种高熵层状金属氧化物相关专利金融界2024年11月9日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市津工能源有限公司取得一项名为“一种高熵层状金属氧化物及其制备方法和应用”的专利，授权公告号CN 115064657 B,申请日期为2022年6月。

C2安培取得垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的...金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，C2安培有限公司取得一项名为“垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的方法”的专利，授权公告号CN 110574168 B,申请日期为2018年5月。

MPL助力固态前驱体光刻胶,图案化金属氧化物半导体更精密传统金属氧化物超高精度纳米图案化的主要问题是什么？( ) A. 光刻技术过于先进，成本难以控制B. 涉及多步光刻和转移过程，耗时且成本高C. 对设备要求低，导致精度难以提升D. 只能制造简单结构，无法满足复杂需求2、使用固态前驱体光刻胶图案化金属氧化物相关题目题目：在制备金属后面会介绍。

亳州上大申请双金属氧化物复合氮掺杂碳纳米笼专利,具有较高的比表...金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，亳州上大工程技术有限公司申请一项名为“双金属氧化物复合氮掺杂碳纳米笼及其制备方法”的专利，公开号CN 118841540 A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明提供了双金属氧化物复合氮掺杂碳纳米笼及其制备方法。..

剑桥实业取得金属氧化物类的电极组合物专利金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，剑桥实业有限公司取得一项名为“金属氧化物类的电极组合物”的专利，授权公告号CN 112585780 B,申请日期为2019年6月。

格林美申请层状金属氧化物正极材料及其制备方法和钠离子电池专利,...金融界2024年10月26日消息，国家知识产权局信息显示，荆门市格林美新材料有限公司、格林美股份有限公司申请一项名为“一种层状金属氧化物正极材料及其制备方法和钠离子电池”的专利，公开号CN 118811880 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示，本发明提供一种层状金属氧化后面会介绍。

华友新能源科技申请金属氧化物前驱体及其制备方法和应用专利,提高...金融界2024年10月26日消息，国家知识产权局信息显示，华友新能源科技(衢州)有限公司、浙江华友钴业股份有限公司申请一项名为“金属氧化物前驱体及其制备方法和应用”的专利，公开号CN 118814271 A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明涉及一种金属氧化物前驱体及其说完了。

应用材料公司取得具有金属氧化物开关的小型存储电容器的薄膜晶体管...金融界2024年10月26日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司取得一项名为“具有金属氧化物开关的小型存储电容器的薄膜晶体管”的专利，授权公告号CN 111771283 B ,申请日期为2019 年1 月。

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