什么是金属氧化物半导体_什么是金属氧化物
C2安培取得垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的...金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，C2安培有限公司取得一项名为“垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的方法”的专利，授权公告号CN 110574168 B,申请日期为2018年5月。
什么是金属氧化物半导体场效应管
什么是金属氧化物半导体材料
MPL助力固态前驱体光刻胶,图案化金属氧化物半导体更精密金属氧化物半导体至关重要。但传统制造工艺繁琐且成本高。利用多光子光刻技术，通过特殊的固态前驱体光刻胶，成功实现了金属氧化物半导后面会介绍。 传统金属氧化物超高精度纳米图案化的主要问题是什么？( ) A. 光刻技术过于先进，成本难以控制B. 涉及多步光刻和转移过程，耗时且成本高C. 对后面会介绍。
什么是金属氧化物半导体元素
什么是金属氧化物半导体工艺
龙腾光电申请金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法专利...金融界2023年12月23日消息，据国家知识产权局公告，昆山龙腾光电股份有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法“公开号CN117276195A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，后面会介绍。
什么金属氧化物半导体气敏电阻都附带有加热器?
金属氧化物 半导体
台积电取得集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件及其制法专利,...金融界2023年12月16日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件及其制法“授权公告号CN111115550B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示，集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件包括互补金属等会说。
金属氧化物半导体有哪些
金属氧化物半导体特点
粤芯半导体取得横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法专利,可...金融界2024 年8 月21 日消息，天眼查知识产权信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司取得一项名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法“授权公告号CN118248554B,申请日期为2024 年5 月。专利摘要显示，本申请实施例涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备后面会介绍。
台积电取得半导体器件专利,金属氧化物半导体器件以小于第一深度的...金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件“授权公告号CN112216693B,申请日期为2020年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体器件、和部件。金属氧化物是什么。
华为公司申请自对准通道金属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法...金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“自对准通道金属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法“公开号CN117597786A,申请日期为2021年9月。专利摘要显示，本发明涉及一种金属氧化物半导体(Metal‑Oxide‑Semiconductor,MOS)器件，包等我继续说。
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...金属氧化物半导体器件承受及防护人体放电模型静电放电事件的能力金融界2024年1月29日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路器件“授权公告号CN220400593U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本申请涉及一种集成电路器件，电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNM后面会介绍。
...栅极半导体专利,该专利技术能实现制造包括双栅极金属氧化物半导体...金融界2024年2月6日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司申请一项名为“三维(3D)双栅极半导体“公开号CN117529817A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示，本发明公开了包括双栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的半导体设备及其制造方法。该双栅极MOS晶体管包括等我继续说。
动力源取得直流开关专利,提高金属‑氧化物半导体场效应晶体管的...为提高直流开关中的金属‑氧化物半导体场效应晶体管的安全性而发明。包括开关主电路、驱动控制电路及开关采样电路，开关主电路包括MOS管，所述驱动控制电路的输入端用于连接控制器的输出端，驱动控制电路的输出端连接于MOS管；开关采样电路包括输入电压采样电路及输出电流还有呢？
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